Vishay Semiconductor Diodes Division - SRP600K-E3/54

KEY Part #: K6444896

[2293個在庫]


    品番:
    SRP600K-E3/54
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 800V 6A P600.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SRP600K-E3/54 electronic components. SRP600K-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SRP600K-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SRP600K-E3/54 製品の属性

    品番 : SRP600K-E3/54
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 800V 6A P600
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
    電流-平均整流(Io) : 6A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 6A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 200ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 800V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : P600, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : P600
    動作温度-ジャンクション : -50°C ~ 125°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • RD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.

    • RD0106T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.

    • RD0504T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

    • SRP600K-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 6A P600.

    • SRP600B-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

    • VSB2045Y-M3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V .3V@5A TrenchMOS