MUR315S M6G 価格設定（USD） [718289個在庫]
- 1 pcs$0.05149
- 品番:
- MUR315S M6G
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation MUR315S M6G electronic components. MUR315S M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUR315S M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MUR315S M6G 製品の属性
品番 :
MUR315S M6G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
150V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
875mV @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
25ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 150V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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