ON Semiconductor - FQD2N60TF

KEY Part #: K6410704

[14045個在庫]


    品番:
    FQD2N60TF
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FQD2N60TF electronic components. FQD2N60TF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD2N60TF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD2N60TF 製品の属性

    品番 : FQD2N60TF
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
    シリーズ : QFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.7 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 350pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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