STFW6N120K3 価格設定（USD） [11882個在庫]
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- 300 pcs$2.35695
- 品番:
- STFW6N120K3
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STFW6N120K3 electronic components. STFW6N120K3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STFW6N120K3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STFW6N120K3 製品の属性
品番 :
STFW6N120K3
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
シリーズ :
SuperMESH3™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1050pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
63W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOWATT-218FX
パッケージ/ケース :
ISOWATT218FX
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