IXTP6N50D2 価格設定（USD） [15612個在庫]
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- 品番:
- IXTP6N50D2
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTP6N50D2 electronic components. IXTP6N50D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP6N50D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP6N50D2 製品の属性
品番 :
IXTP6N50D2
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
500 mOhm @ 3A, 0V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
96nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2800pF @ 25V
FET機能 :
Depletion Mode
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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