TPN1110ENH,L1Q 価格設定（USD） [151133個在庫]
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- 品番:
- TPN1110ENH,L1Q
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q electronic components. TPN1110ENH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN1110ENH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPN1110ENH,L1Q 製品の属性
品番 :
TPN1110ENH,L1Q
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
600pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta), 39W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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