Microchip Technology - DN2625DK6-G

KEY Part #: K6522837

DN2625DK6-G 価格設定(USD) [36530個在庫]

  • 1 pcs$1.09124
  • 25 pcs$0.90878
  • 100 pcs$0.83587

品番:
DN2625DK6-G
メーカー:
Microchip Technology
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microchip Technology DN2625DK6-G electronic components. DN2625DK6-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN2625DK6-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN2625DK6-G 製品の属性

品番 : DN2625DK6-G
メーカー : Microchip Technology
説明 : MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Depletion Mode
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 250V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.1A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7.04nC @ 1.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1000pF @ 25V
パワー-最大 : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DFN (5x5)
あなたも興味があるかもしれません