[4004個在庫]
- 品番:
- IRFHM792TR2PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHM792TR2PBF electronic components. IRFHM792TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM792TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHM792TR2PBF 製品の属性
品番 :
IRFHM792TR2PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 10µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.3nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
251pF @ 25V
パワー-最大 :
2.3W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
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