NTMFD4C85NT1G 価格設定（USD） [4109個在庫]
- 1,500 pcs$1.03200
- 品番:
- NTMFD4C85NT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 8DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTMFD4C85NT1G electronic components. NTMFD4C85NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFD4C85NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMFD4C85NT1G 製品の属性
品番 :
NTMFD4C85NT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
15.4A, 29.7A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
32nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1960pF @ 15V
パワー-最大 :
1.13W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN (5x6)
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