DMC3016LDV-13 価格設定（USD） [320618個在庫]
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- 品番:
- DMC3016LDV-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 31V 40V POWERDI333.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMC3016LDV-13 electronic components. DMC3016LDV-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMC3016LDV-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMC3016LDV-13 製品の属性
品番 :
DMC3016LDV-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 31V 40V POWERDI333
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel Complementary
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
21A (Tc), 15A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.5nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
パワー-最大 :
900mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI3333-8
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