ON Semiconductor - NTB4302T4G

KEY Part #: K6411381

[13810個在庫]


    品番:
    NTB4302T4G
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NTB4302T4G electronic components. NTB4302T4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTB4302T4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTB4302T4G 製品の属性

    品番 : NTB4302T4G
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 74A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 9.3 mOhm @ 37A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 28nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2400pF @ 24V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 80W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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