IXYS-RF - IXFX24N100F

KEY Part #: K6397711

IXFX24N100F 価格設定(USD) [3618個在庫]

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品番:
IXFX24N100F
メーカー:
IXYS-RF
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX24N100F 製品の属性

品番 : IXFX24N100F
メーカー : IXYS-RF
説明 : MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
シリーズ : HiPerRF™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 8mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6600pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 560W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PLUS247™-3
パッケージ/ケース : TO-247-3

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