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- 品番:
- SI4886DY-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4886DY-T1-E3 electronic components. SI4886DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4886DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4886DY-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI4886DY-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10 mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
800mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.56W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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