Diodes Incorporated - DMT6015LFV-13

KEY Part #: K6394317

DMT6015LFV-13 価格設定(USD) [371913個在庫]

  • 1 pcs$0.09945
  • 3,000 pcs$0.08901

品番:
DMT6015LFV-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6015LFV-13 electronic components. DMT6015LFV-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6015LFV-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6015LFV-13 製品の属性

品番 : DMT6015LFV-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9.5A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 18.9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1103pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.2W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI3333-8
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

  • ZVN0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

  • FDD86569-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.

  • IRLIZ44G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

  • IRFI830G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP.