DMT6015LFV-13 価格設定（USD） [371913個在庫]
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- 品番:
- DMT6015LFV-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT6015LFV-13 electronic components. DMT6015LFV-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6015LFV-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT6015LFV-13 製品の属性
品番 :
DMT6015LFV-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.5A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1103pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.2W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI3333-8
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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