TPH3207WS 価格設定（USD） [2717個在庫]
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- 10 pcs$13.48249
- 100 pcs$11.51458
- 品番:
- TPH3207WS
- メーカー:
- Transphorm
- 詳細な説明:
- GANFET N-CH 650V 50A TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Transphorm TPH3207WS electronic components. TPH3207WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH3207WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH3207WS 製品の属性
品番 :
TPH3207WS
メーカー :
Transphorm
説明 :
GANFET N-CH 650V 50A TO247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.65V @ 700µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs（最大） :
±18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2197pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
178W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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