Infineon Technologies - IPB65R095C7ATMA2

KEY Part #: K6417398

IPB65R095C7ATMA2 価格設定(USD) [29888個在庫]

  • 1 pcs$1.37894

品番:
IPB65R095C7ATMA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH TO263-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R095C7ATMA2 製品の属性

品番 : IPB65R095C7ATMA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH TO263-3
シリーズ : CoolMOS™ C7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 95 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 590µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2140pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 128W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-3
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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