Diodes Incorporated - ZXMP6A16DN8QTA

KEY Part #: K6522123

ZXMP6A16DN8QTA 価格設定(USD) [99607個在庫]

  • 1 pcs$0.39255
  • 500 pcs$0.33890

品番:
ZXMP6A16DN8QTA
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMP6A16DN8QTA electronic components. ZXMP6A16DN8QTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMP6A16DN8QTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMP6A16DN8QTA 製品の属性

品番 : ZXMP6A16DN8QTA
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.9A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 85 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA (Min)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 24.2nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1021pF @ 30V
パワー-最大 : 1.81W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO