説明 :
MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2.4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
120 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
11nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
309pF @ 15V
消費電力(最大) :
400mW (Ta), 8.3W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN1010D-3
パッケージ/ケース :
3-XDFN Exposed Pad