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- 品番:
- IRFHM8363TR2PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF electronic components. IRFHM8363TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM8363TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHM8363TR2PBF 製品の属性
品番 :
IRFHM8363TR2PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.35V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1165pF @ 10V
パワー-最大 :
2.7W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
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