SI4403DDY-T1-GE3 価格設定（USD） [498195個在庫]
- 1 pcs$0.07424
- 品番:
- SI4403DDY-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4403DDY-T1-GE3 electronic components. SI4403DDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4403DDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4403DDY-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI4403DDY-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
シリーズ :
TrenchFET® Gen III
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
15.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
99nC @ 8V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3250pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK958R5-40E,127
- 2SK3902(0)-ZK-E1-AY
- FDB9506L-F085
- SPB02N60S5ATMA1
- JAN2N6782U
- IPA65R600C6XKSA1
- SIR406DP-T1-GE3
- IPD50N06S4L08ATMA1
- SSM3K106TU(TE85L)
- IRL3402STRLPBF
- APTM120DA68T1G
- AOT462
- NTMFS4837NT3G
- 2SK2917(F)
- IXFH28N50Q
- APT10035B2LLG
- FQI9N15TU
- HUFA75307D3S
- IRLR2703PBF
- IRFR3711ZPBF
- IPP05N03LA
- IRFZ24NSTRR
- STP80NE03L-06
- IRF9540NSTRR
- IRF7207TR
- IRF614STRR
- STB155N3H6
- STP6NB90
- IXTH75N15
- IXTH160N15T
- SIHP22N60E-GE3
- IPT012N06NATMA1
- IPB120N06S4H1ATMA2
- SQD50P04-09L_GE3
- FDMS9408-F085
- IPD60R600P6ATMA1
- PSMN1R2-25YLDX
- IRLR8103VTRPBF
- TPN14006NH,L1Q
- BUK9Y43-60E,115