RUC002N05HZGT116 価格設定（USD） [2710765個在庫]
- 1 pcs$0.01364
- 品番:
- RUC002N05HZGT116
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- 1.2V DRIVE NCH MOSFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RUC002N05HZGT116 electronic components. RUC002N05HZGT116 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RUC002N05HZGT116, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RUC002N05HZGT116 製品の属性
品番 :
RUC002N05HZGT116
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
1.2V DRIVE NCH MOSFET
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
50V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
25pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
350mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SST3
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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