CSD87335Q3D 価格設定（USD） [123484個在庫]
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- 12,500 pcs$0.27734
- 品番:
- CSD87335Q3D
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD87335Q3D electronic components. CSD87335Q3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD87335Q3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD87335Q3D 製品の属性
品番 :
CSD87335Q3D
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
シリーズ :
NexFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.9V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1050pF @ 15V
パワー-最大 :
6W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerLDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-LSON (3.3x3.3)
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