Vishay Siliconix - SI5419DU-T1-GE3

KEY Part #: K6417136

SI5419DU-T1-GE3 価格設定(USD) [383787個在庫]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

品番:
SI5419DU-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI5419DU-T1-GE3 electronic components. SI5419DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5419DU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5419DU-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI5419DU-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 20 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1400pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.1W (Ta), 31W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.