Infineon Technologies - IPD60R650CEBTMA1

KEY Part #: K6402170

IPD60R650CEBTMA1 価格設定(USD) [2797個在庫]

  • 2,500 pcs$0.13752

品番:
IPD60R650CEBTMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 7A TO252.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPD60R650CEBTMA1 electronic components. IPD60R650CEBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R650CEBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R650CEBTMA1 製品の属性

品番 : IPD60R650CEBTMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V 7A TO252
シリーズ : CoolMOS™ CE
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 440pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 82W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

  • BS170-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • TK90S06N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.