NXP USA Inc. - PSMN013-30LL,115

KEY Part #: K6406291

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    品番:
    PSMN013-30LL,115
    メーカー:
    NXP USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V QFN3333.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN013-30LL,115 製品の属性

    品番 : PSMN013-30LL,115
    メーカー : NXP USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 30V QFN3333
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.15V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12.2nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 768pF @ 15V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 41W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DFN3333 (3.3x3.3)
    パッケージ/ケース : 8-VDFN Exposed Pad

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