SCT2750NYTB 価格設定（USD） [21696個在庫]
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- 400 pcs$2.08960
- 品番:
- SCT2750NYTB
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- 1700V .75 OHM 6A SIC FET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCT2750NYTB electronic components. SCT2750NYTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT2750NYTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT2750NYTB 製品の属性
品番 :
SCT2750NYTB
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
1700V .75 OHM 6A SIC FET
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
18V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
975 mOhm @ 1.7A, 18V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 630µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 18V
Vgs（最大） :
+22V, -6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
275pF @ 800V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
57W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-268
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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