Diodes Incorporated - DMN2041UFDB-7

KEY Part #: K6523708

[4075個在庫]


    品番:
    DMN2041UFDB-7
    メーカー:
    Diodes Incorporated
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Diodes Incorporated DMN2041UFDB-7 electronic components. DMN2041UFDB-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2041UFDB-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DMN2041UFDB-7 製品の属性

    品番 : DMN2041UFDB-7
    メーカー : Diodes Incorporated
    説明 : MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Standard
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.7A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1.4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 8V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 713pF @ 10V
    パワー-最大 : 1.4W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 6-UDFN Exposed Pad
    サプライヤーデバイスパッケージ : U-DFN2020-6 (Type B)

    あなたも興味があるかもしれません
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • IRF7756TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP.

    • IRF7755TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP.

    • IRF7754

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.