IPL60R299CPAUMA1 価格設定（USD） [64945個在庫]
- 1 pcs$0.60206
- 品番:
- IPL60R299CPAUMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPL60R299CPAUMA1 electronic components. IPL60R299CPAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL60R299CPAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPL60R299CPAUMA1 製品の属性
品番 :
IPL60R299CPAUMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11.1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 440µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1100pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
96W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-VSON-4
パッケージ/ケース :
4-PowerTSFN
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