Infineon Technologies - IRF8714TRPBF

KEY Part #: K6416013

IRF8714TRPBF 価格設定(USD) [308010個在庫]

  • 1 pcs$0.12009
  • 4,000 pcs$0.10301

品番:
IRF8714TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRF8714TRPBF electronic components. IRF8714TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8714TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF8714TRPBF 製品の属性

品番 : IRF8714TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 14A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.7 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.35V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1020pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.