DMN2016LFG-7 価格設定（USD） [346695個在庫]
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- 3,000 pcs$0.05599
- 品番:
- DMN2016LFG-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2016LFG-7 electronic components. DMN2016LFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2016LFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2016LFG-7 製品の属性
品番 :
DMN2016LFG-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
16nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1472pF @ 10V
パワー-最大 :
770mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerUDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN3030-8
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