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ON Semiconductor - NDD02N60Z-1G

KEY Part #: K6406753

NDD02N60Z-1G 価格設定（USD） [1211個在庫]

  • 1,800 pcs$0.12098
品番:
NDD02N60Z-1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V IPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NDD02N60Z-1G electronic components. NDD02N60Z-1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDD02N60Z-1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDD02N60Z-1G 製品の属性

品番 : NDD02N60Z-1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V IPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 10.1nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 274pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 57W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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