メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIFFERENTIATED MOSFETS
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
13A (Ta), 48A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
9.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3.3V @ 14µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
15nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1075pF @ 30V
消費電力(最大) :
3W (Ta), 43W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8