STP18N60M2 価格設定（USD） [31917個在庫]
- 1 pcs$1.22515
- 10 pcs$1.04943
- 100 pcs$0.84335
- 500 pcs$0.65595
- 1,000 pcs$0.54350
- 品番:
- STP18N60M2
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP18N60M2 electronic components. STP18N60M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP18N60M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP18N60M2 製品の属性
品番 :
STP18N60M2
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V TO-220
シリーズ :
MDmesh™ II Plus
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
280 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
21.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
791pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
110W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220
パッケージ/ケース :
TO-220-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PHP14NQ20T,127
- 2SJ661-DL-1EX
- 2SK3817-DL-E
- IRF1405ZL-7PPBF
- IPB80N06S209ATMA1
- IXTP102N15T
- FDJ129P_F077
- IRF3704ZCLPBF
- FDS8812NZ
- NTD70N03R
- IPSH5N03LA G
- IPP07N03LB G
- IPI100N06S3-04
- HUF76633P3
- FQI9N15TU
- IRLI610ATU
- FQP7N10L
- FQPF5N20L
- FDB8874
- IRL3705ZSTRL
- IRF7832Z
- BSS123ATA
- 2N6760
- RJK6006DPP-E0#T2
- IRLBD59N04ETRLP
- BSS209PW
- IRFR3707TR
- STP12PF06
- IXFH35N30
- STP8NM60ND
- SI1011X-T1-GE3
- IPC60R099C6X1SA1
- IPP60R180C7XKSA1
- IPP120N08S404AKSA1
- IRFS23N15DTRLP
- STD15N60M2-EP
- STD12N50M2
- IPD12CN10NGATMA1
- TK9P65W,RQ
- PSMN7R0-30YL,115