TPH3212PS 価格設定（USD） [6703個在庫]
- 1 pcs$7.35969
- 10 pcs$6.68983
- 100 pcs$5.68635
- 品番:
- TPH3212PS
- メーカー:
- Transphorm
- 詳細な説明:
- GANFET N-CH 650V 27A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Transphorm TPH3212PS electronic components. TPH3212PS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH3212PS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH3212PS 製品の属性
品番 :
TPH3212PS
メーカー :
Transphorm
説明 :
GANFET N-CH 650V 27A TO220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
27A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
72 mOhm @ 17A, 8V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.6V @ 400uA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 8V
Vgs（最大） :
±18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1130pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
104W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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