Diodes Incorporated - DMT6009LK3-13

KEY Part #: K6403595

DMT6009LK3-13 価格設定(USD) [194738個在庫]

  • 1 pcs$0.18993
  • 2,500 pcs$0.16810

品番:
DMT6009LK3-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET BVDSS 41V 60V TO252.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6009LK3-13 electronic components. DMT6009LK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6009LK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6009LK3-13 製品の属性

品番 : DMT6009LK3-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET BVDSS 41V 60V TO252
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13.3A (Ta), 57A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1925pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.6W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD8782

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • FDD6N50TM-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FQD1N60CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 1A DPAK.

  • FQD6N25TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.

  • FDD5612

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK.

  • FDD6612A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK.