IXFT23N60Q 価格設定（USD） [8333個在庫]
- 1 pcs$5.43824
- 品番:
- IXFT23N60Q
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFT23N60Q electronic components. IXFT23N60Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT23N60Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT23N60Q 製品の属性
品番 :
IXFT23N60Q
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
23A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3300pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
400W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-268
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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