IXYS - IXTP7N60PM

KEY Part #: K6418587

IXTP7N60PM 価格設定(USD) [69274個在庫]

  • 1 pcs$0.62398
  • 50 pcs$0.62088

品番:
IXTP7N60PM
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTP7N60PM electronic components. IXTP7N60PM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP7N60PM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP7N60PM 製品の属性

品番 : IXTP7N60PM
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
シリーズ : Polar™
部品ステータス : Last Time Buy
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1180pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 41W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3