[12497個在庫]
- 品番:
- PMV60EN,215
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PMV60EN,215 electronic components. PMV60EN,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV60EN,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMV60EN,215 製品の属性
品番 :
PMV60EN,215
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
350pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
280mW (Tj)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-236AB (SOT23)
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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