IXYS - IXFT80N65X2HV

KEY Part #: K6395216

IXFT80N65X2HV 価格設定(USD) [9309個在庫]

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品番:
IXFT80N65X2HV
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT80N65X2HV 製品の属性

品番 : IXFT80N65X2HV
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 890W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268HV
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA