Microsemi Corporation - APT26F120B2

KEY Part #: K6394530

APT26F120B2 価格設定(USD) [4091個在庫]

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  • 30 pcs$11.64721

品番:
APT26F120B2
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT26F120B2 製品の属性

品番 : APT26F120B2
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 27A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 650 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9670pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1135W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant