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Microsemi Corporation - APT1001R1BN

KEY Part #: K6412275

[8449個在庫]

    品番:
    APT1001R1BN
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation APT1001R1BN electronic components. APT1001R1BN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT1001R1BN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT1001R1BN 製品の属性

    品番 : APT1001R1BN
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
    シリーズ : POWER MOS IV®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 10.5A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 1mA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 130nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2950pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 310W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD
    パッケージ/ケース : TO-247-3

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