DMPH1006UPSQ-13 価格設定（USD） [170140個在庫]
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- 2,500 pcs$0.19241
- 品番:
- DMPH1006UPSQ-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMPH1006UPSQ-13 electronic components. DMPH1006UPSQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMPH1006UPSQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMPH1006UPSQ-13 製品の属性
品番 :
DMPH1006UPSQ-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
124nC @ 8V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6334pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.2W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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