TPS1120DR 価格設定（USD） [103246個在庫]
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- 品番:
- TPS1120DR
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments TPS1120DR electronic components. TPS1120DR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPS1120DR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPS1120DR 製品の属性
品番 :
TPS1120DR
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
15V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.17A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.45nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
840mW
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
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