Infineon Technologies - SPP80N06S2L-11

KEY Part #: K6409409

[292個在庫]


    品番:
    SPP80N06S2L-11
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPP80N06S2L-11 製品の属性

    品番 : SPP80N06S2L-11
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
    シリーズ : OptiMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11 mOhm @ 40A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 93µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 80nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2650pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 158W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3-1
    パッケージ/ケース : TO-220-3

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