IPP60R125CFD7XKSA1 価格設定（USD） [19084個在庫]
- 1 pcs$2.15943
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- HIGH POWERNEW.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPP60R125CFD7XKSA1 electronic components. IPP60R125CFD7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP60R125CFD7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP60R125CFD7XKSA1 製品の属性
品番 :
IPP60R125CFD7XKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
HIGH POWERNEW
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
125 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 390µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1503pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
92W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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