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- 品番:
- SIS902DN-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIS902DN-T1-GE3 electronic components. SIS902DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS902DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIS902DN-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIS902DN-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
186 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
175pF @ 38V
パワー-最大 :
15.4W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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