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- 品番:
- IRF7353D1TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7353D1TR electronic components. IRF7353D1TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7353D1TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7353D1TR 製品の属性
品番 :
IRF7353D1TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
シリーズ :
FETKY™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
32 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
650pF @ 25V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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