技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
800mA (Tj)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
0V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
14.6nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
325pF @ 25V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263HV
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB