GeneSiC Semiconductor - GA05JT01-46

KEY Part #: K6397796

GA05JT01-46 価格設定（USD） [1662個在庫]

1 pcs$28.37712
10 pcs$26.70832
25 pcs$25.03877

品番:: GA05JT01-46

メーカー:: GeneSiC Semiconductor

詳細な説明:: TRANS SJT 100V 9A.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46 electronic components. GA05JT01-46 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA05JT01-46, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

GA05JT01-46 製品の属性

品番 : GA05JT01-46

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : TRANS SJT 100V 9A

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : -

技術 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 9A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : -

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 240 mOhm @ 5A

Vgs（th）（最大）@ Id : -

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -

Vgs（最大） : -

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -

FET機能 : -

消費電力（最大） : 20W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 225°C (TJ)

取付タイプ : Through Hole

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-46

パッケージ/ケース : TO-46-3

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