SIHH26N60E-T1-GE3 価格設定（USD） [31707個在庫]
- 1 pcs$1.30630
- 3,000 pcs$1.29980
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHH26N60E-T1-GE3 electronic components. SIHH26N60E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH26N60E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHH26N60E-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIHH26N60E-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
135 mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
116nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2815pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
202W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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